행사가 개최되었습니다.
세부프로그램
| 시간 | 프로그램 | 강연 |
|---|---|---|
| 09:10~09:50 | 워크샵 등록 | 등록데스크 |
| 09:50~10:00 | 개회사 | 전영현 회장 (반도체소사이어티) |
| Session 1: 차세대 메모리 소자 기술
좌장 : 조일환 교수(명지대)
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| 10:00~10:40 | STT-MRAM technology toward high density non-volatile working memory | 정성웅 연구위원 (SK하이닉스) |
| 10:40~11:20 | X-point 메모리 소자용 Selector 소자 기술 | 황현상 교수 (포항공대) |
| 11:20~12:00 | A new ruler on the storage market: 3D-NAND flash for high-density memory And its technology evolutions and challenges on the future |
임준희 마스터 (삼성전자) |
| 12:00~13:20 | 중식 | |
| Session 2: 차세대 시스템 반도체 소자
좌장 : 이희덕 교수(충남대)
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| 13:20~14:00 | 반데르발스 물질 이종접합 기반 다진법 로직소자 | 박진홍 교수 (성균관대) |
| 14:00~14:40 | New opportunity of high mobility channel for monolithic 3D integration |
김상현 박사 (KIST) |
| 14:40~15:00 | Coffee Break | |
| 15:00~15:40 | 차세대 반도체 소자 개발을 위한 Computational Screening 기술 | 이효석 박사 (삼성전자/종기원) |
| 15:40~16:20 | A 3-Dimensional Carbon Nanotube Field Effect Transistor | 최양규 교수 (KAIST) |
| 16:20~17:00 | 5 나노향 FinFET strain technology | 배동일 수석 (삼성전자) |
| 17:00~ | 폐회 | |
* 주최측의 사정으로 프로그램이 일부 변경될 수 있습니다.